氮化鋁基板 垂直結構矽基大功率紫外晶片 獨特的晶片焊線設計
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LP-UVM6025150A1採用垂直結構矽襯底大功率紫外LED晶片，基板線路設計靈活，在小的發光區內可實現高密度的紫外光輸出，焊線具有高可靠性，產品的尺寸功率可根據客戶要求定製。
採用陶瓷基板，導熱性能好
垂直結構紫外晶片發光，能量密度集中
獨特的晶片焊線設計 ，高可靠性
光電參數： (T solder pad =25 ℃) | ||||
光區面積 (mm) | 峰值波長 (nm) | 輻射強度 (W/cm2) | 正向電壓 (V) | 功率 (W) |
Typ.@1800mA*3 | ||||
27.6*25 | 390~395 | ≥15 | 28 | 150 |
工業固化
UV曝光
印刷
平板打印
LP-UVM5535180A1採用垂直結構矽襯底大功率紫外LED晶片，基板線路設計靈活，在小的發光區內可實現高密度的紫外光輸出，焊線具有高可靠性，產品的尺寸功率可根據客戶要求定製。
採用陶瓷基板，導熱性能好
垂直結構紫外晶片發光，能量密度集中
獨特的晶片焊線設計，高可靠性
光電參數： (T solder pad =25 ℃) | ||||
光區面積 (mm) | 峰值波長 (nm) | 輻射強度 (W/cm2) | 正向電壓 (V) | 功率 (W) |
Typ.@1500mA | ||||
33.96*28.3 | 390~395 | ≥15 | 140 | 180 |
工業固化
UV曝光
印刷
平板打印
LP-UVM4029150A1採用垂直結構矽襯底大功率紫外LED晶片，基板線路設計靈活，高密度晶片排布，在小的發光區內可實現高密度的紫外光輸出，焊線具有高可靠性，產品的尺寸功率可根據客戶要求定製。
採用陶瓷基板，導熱性能好
垂直結構紫外晶片發光，能量密度集中
獨特的晶片焊線設計，高可靠性
光電參數：(T solder pad =25 ℃) | ||||
光區面積 (mm) | 峰值波長 (nm) | 輻射強度 (W/cm2) | 正向電壓 (V) | 功率 (W) |
Typ.@4200mA | ||||
28.77*8.3 | 390~395 | ≥20 | 42 | 150 |
工業固化
UV曝光
印刷
平板打印
LP-UVM5632150A1採用垂直結構矽襯底大功率紫外LED晶片，基板線路設計靈活，高密度晶片排布，在小的發光區內可實現高密度的紫外光輸出，焊線具有高可靠性，產品的尺寸功率可根據客戶要求定製。
採用陶瓷基板，導熱性能好
垂直結構紫外晶片發光，能量密度集中
獨特的晶片焊線設計，高可靠性
光電參數：(T solder pad =25 ℃) | ||||
光區面積(mm) | 峰值波長 (nm) | 輻射強度 (mW) | 正向電壓 (V) | 功率 (W) |
Typ.@2800mA | ||||
32.8*32.6 | 390~395 | ≥80000 | 56 | 150 |
工業固化
UV曝光
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平板打印
